电子元器件的检测三
双向晶闸管的极性识别：双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，发射天线的制作方法，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我们也很容易通过测量电阻大小来识别主电极1和主电极2。
微波暗室一般技术指标
1.暗室参数
微波暗室的电性能指标主要由静区的特征来表征。静区的特性又以静区的大小、静区内的最.大反射电平、交叉极化度、场均匀性、路径损耗、固有雷达截面、工作频率范围等指标来描述。
影响微波暗室性能指标的因素是多元化的，广播电视发射天线图片，也是很复杂的。在利用光线发射法和能量物理法对暗室性能进行仿真计算时，需要考虑电波的传输去耦，极化去耦，标准天线的方向图因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影响。但在实际的工程设计过程中，往往以吸波材料的性能作为暗室性能的关键决定因素。
1)交叉极化度：由于暗室结构的不严格对称、吸波材料对各种极化波吸收的不一致性以及暗室测试系统等因素使电波在暗室传播过程中产生极化不纯的现象。如果待测试天线与发射天线的极化面正交和平行时，所测试场强之比小于-25dB，广播电视发射天线厂家，就认为交叉极化度满足要求。
2)多路径损耗：路径损耗不均匀会使电磁波的极化面旋转，如果以来波方向旋转待测试天线，江苏发射天线，接收信号的起伏不超过±0.25 dB，就可忽略多路径损耗。
3)场均匀性：在暗室静区，沿轴移动待测试天线，要求起伏不超±2dB；在静区的截面上，横向和上下移动待测天线，要求接收信号起伏不超过±0.25 dB。
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