从放大器开始谈模拟电子
模拟放大器的本质是利用一个较小幅度或者功率的信号去控制一个较大幅度或者功率的信号。例如电吉他，大家都知到电吉他很多都是没有共鸣腔的，实际用手拨弦产生的声音其实非常小，但是利用的电子放大装置可以产生整个体育馆都为之沸腾的声音。在电吉他的琴弦下方装有磁铁，当的金属琴弦发生震动的时候会切割磁铁的磁感应线而产生微弱的电压，利用这些电压作为放大器的输入来控制更大功率的电信号驱动扬声器从而产生很大的声响。最初采用电子管的功率放大器的至少都有手提箱大小，而现在在手机中使用的半导体技术功率放大器仅仅有几个平方毫米。
虽然在生活中越来越多的信号处理，储存采用了数字技术，但是模拟技术仍然是我们观察世界入口医院里的生化设备，射频放大器，相机中的光学传感器，手机里的加速度计和陀螺仪等等使用的都是先进的模拟技术。
在数字化生存的时代，我们仍然离不开传统的模拟技术，因为真实世界总是“模拟”的。
放大器的所有这些干.扰都是从哪里来的？
自从进入市场以来，射频放大器应用，CMOS单电源放大器就给全球单电源系统设计人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真+噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对THD+N的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。
有几种单电源放大器拓扑可在整个电源中接收输入信号。在互补型差分输入级拓扑中，当放大器输入接近负轨时，PMOS晶体管导通，NMOS晶体管关断。当放大器输入接近正轨时，NMOS晶体管导通，PMOS 晶体管关断。
这种设计拓扑在整个共模输入范围内会对放大器失调电压产生极大的变化。在接近接地的输入区域，射频放大器的优点，PMOS晶体管的失调误差占主导地位。在接近正电源的区域，NMOS晶体管对成为主导失调误差。当放大器输入穿过这两个区域时，这两个对都会导通。结果就是输入失调电压在两级之间变化。当PMOS和NMOS晶体管都导通时，共模电压区域大约为400mV。这种交叉失真现象会影响放大器的THD。如果将互补型输入放大器采用非反相配置进行配置，输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能。例如，如果不使用输入转换，THD+N为0.0006%。如果THD+N 测试包含放大器的输入交叉失真，THD+N为0.004%。您可通过使用反相配置来避免这类放大器的交叉失真。
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