放大器的指标定义和分类
共模抑制比CMRR：差模增益/共模增益
输入共模范围ICMR：对差模信号保持线性放大所需要的共模信号范围
输出失调电压：在输入端相连时实际输出电压和理想输出电压之差，又称零点漂移。
输入失调电压VOS：输出失调电压除以差模电压增益
电源电压抑制比PSRR：电源电压变化乘以开环增益，射频放大器，再除以引起的输出电压变化；从输入到输出的增益除以从电源到输出的增益
噪声系数：输入信噪比除以输出信噪比
放大器的所有这些干.扰都是从哪里来的？
自从进入市场以来，增益可控射频放大器设计，CMOS单电源放大器就给全球单电源系统设计人员带来了极大优势。影响双电源放大器总谐波失真+噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对THD+N的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。
有几种单电源放大器拓扑可在整个电源中接收输入信号。在互补型差分输入级拓扑中，当放大器输入接近负轨时，PMOS晶体管导通，NMOS晶体管关断。当放大器输入接近正轨时，NMOS晶体管导通，PMOS 晶体管关断。
这种设计拓扑在整个共模输入范围内会对放大器失调电压产生极大的变化。在接近接地的输入区域，PMOS晶体管的失调误差占主导地位。在接近正电源的区域，射频放大器有几种结构图，NMOS晶体管对成为主导失调误差。当放大器输入穿过这两个区域时，这两个对都会导通。结果就是输入失调电压在两级之间变化。当PMOS和NMOS晶体管都导通时，共模电压区域大约为400mV。这种交叉失真现象会影响放大器的THD。如果将互补型输入放大器采用非反相配置进行配置，增益可控射频放大器原理图，输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能。例如，如果不使用输入转换，THD+N为0.0006%。如果THD+N 测试包含放大器的输入交叉失真，THD+N为0.004%。您可通过使用反相配置来避免这类放大器的交叉失真。
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