电子元器件的检测五
判别结型场效应管的电极:将万用表置于R×1k挡，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小(5～10 Ω)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均大(∞)，说明都是反向电阻(PN结反向)，微波组件和模块的定义，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。
天线测量由反射形成的误差
直射波受从周围物体反射的干涉，在测试区域形成场的变化，微波组件原理，由于该波波程差作为位置的函数而迅速变化，使起伏的长度属于波长的数量级。例如比直射波低20 dB的反射波，微波组件结构设计，可引起-0.92～+0.83 dB的功率误差，具体取决于两种之间的差异；相位测量的误差范围为±5.7°，微波组件，但若反射波的场比直射波低40dB，则侧出的幅度与相位分别仅有±0.09与±0.6°的误差。
反射在低旁瓣的测量中特别有害。一项很小的反射通过主瓣耦合到待测天线，可以完全掩盖住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦合的直射和反射波强度相等，则测出的旁瓣电平会抬高6 dB左右，或者在测得的波瓣图中成为零点。
3)其他误差。
还可能导致天线测量产生误差的因素有：低频时与电抗近场的耦合可能比较显著；测量天线的对准误差；其他干扰信号；测试电缆所引起的误差等。
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