微波暗室一般技术指标
1.暗室参数
微波暗室的电性能指标主要由静区的特征来表征。静区的特性又以静区的大小、静区内的最.大反射电平、交叉极化度、场均匀性、路径损耗、固有雷达截面、工作频率范围等指标来描述。
影响微波暗室性能指标的因素是多元化的，微波组件，也是很复杂的。在利用光线发射法和能量物理法对暗室性能进行仿真计算时，需要考虑电波的传输去耦，极化去耦，标准天线的方向图因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影响。但在实际的工程设计过程中，往往以吸波材料的性能作为暗室性能的关键决定因素。
1)交叉极化度：由于暗室结构的不严格对称、吸波材料对各种极化波吸收的不一致性以及暗室测试系统等因素使电波在暗室传播过程中产生极化不纯的现象。如果待测试天线与发射天线的极化面正交和平行时，所测试场强之比小于-25dB，就认为交叉极化度满足要求。
2)多路径损耗：路径损耗不均匀会使电磁波的极化面旋转，如果以来波方向旋转待测试天线，微波组件生产线，接收信号的起伏不超过±0.25 dB，就可忽略多路径损耗。
3)场均匀性：在暗室静区，沿轴移动待测试天线，要求起伏不超±2dB；在静区的截面上，横向和上下移动待测天线，要求接收信号起伏不超过±0.25 dB。
电子元器件的检测五
判别结型场效应管的电极:将万用表置于R×1k挡，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小(5～10 Ω)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均大(∞)，微波组件通用规范，说明都是反向电阻(PN结反向)，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，微波组件原理，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。
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